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方正微電子成功產出第一片6英寸碳化硅二極管
發布時間:2015.09.18
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    作為第三代半導(dao)體(ti)(ti)材料雙雄之一(yi)的碳(tan)化硅,具有高(gao)電(dian)場強度、高(gao)熱導(dao)率、寬(kuan)(kuan)禁帶寬(kuan)(kuan)度、高(gao)飽和(he)漂移速度優點(dian),廣(guang)泛應用在微波及高(gao)頻(pin)和(he)短波長(chang)器件以及功率半導(dao)體(ti)(ti)領域(yu)。

    我(wo)司自(zi)2014年9月開始(shi)與華智(zhi)科技(ji)(國際)有(you)限公司合作(zuo)開發(fa)碳化(hua)硅(gui)二極管,經前(qian)期(qi)技(ji)術討論(lun)、產品設計、流程測試,歷時近一(yi)年,2015年9月中旬(xun)完成產品測試,第一(yi)次流片達到1200V的(de)設計要(yao)求(qiu),合作(zuo)成果超越了華智(zhi)的(de)預(yu)期(qi),體(ti)(ti)現了我(wo)司在特種器(qi)件上(shang)的(de)雄厚的(de)技(ji)術儲(chu)備和強大工藝(yi)加工能力(li),為后續類似(si)的(de)產品開發(fa)和量產打下堅實的(de)基礎(chu)。


大中華區成功生產第一片6吋SiC二極管


    2015年(nian)9月15日華智科技CEO譚志明先生專程趕(gan)到深(shen)(shen)圳向開發團隊致謝,向方正(zheng)微電(dian)子(zi)贈(zeng)送“大中華區第一(yi)片(pian)6英寸碳化硅二(er)極管”紀念(nian)牌,并商討進(jin)一(yi)步深(shen)(shen)入合作事宜。


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