深圳方正微電子有限公司
電話：（86-0755）66823888（總機）
地址：廣東省深圳市龍崗區寶龍七路5號方正微電子工業園
地址：廣東省深圳市龍崗區寶龍七路5號方正微電子工業園
品質為先，優質穩定，立即聯系我們？
聯系我們
應用場景
Application scenario
氮(dan)化(hua)鎵材料的研究與應用一直都是全球半導體研究的前沿和熱點，除了穩定性和耐高溫、耐高壓等優勢外，氮化鎵還擁有良好導熱性、體積小、能耗小等優勢，使得氮化鎵在變壓器和充電器等領域中能得到了廣泛的應用。此前的快充消費品的迅速技術迭代足以證明，消費性筆記本電腦、平板、手機等快充（低壓）是氮化鎵目前的主要應用領域；從中長期來看，工業電源、數據中心、新能源汽車（EV）、充電樁、LED大功率電源等中壓應用，將是氮化鎵新一輪增長的主要拉動力。
GaN第(di)一(yi)次(ci)改變光(guang)(guang)電(dian)是發生在(zai)光(guang)(guang)源端，基于(yu)GaN的(de)(de)LED技(ji)(ji)術在(zai)照明、顯示屏等領(ling)域，已經(jing)大(da)幅取代了(le)傳統低效的(de)(de)照明和顯示技(ji)(ji)術，實(shi)現(xian)了(le)巨大(da)的(de)(de)節能減(jian)排效益，以燈泡(pao)為例，LED光(guang)(guang)效提升(sheng)了(le)7.5倍(bei)左右(you)，壽命也(ye)提升(sheng)了(le)30倍(bei)。越來(lai)越多的(de)(de)照明廠商在(zai)LED驅動(dong)器(qi)（LED 電(dian)源）端采用GaN器(qi)件，對LED燈具進行新(xin)一(yi)輪的(de)(de)創新(xin)升(sheng)級(ji)。由(you)于(yu)GaN 的(de)(de)柵極電(dian)荷(he)(Qg)為SI器(qi)件的(de)(de)1/12, 當在(zai)更高(gao)開(kai)關頻率切換時， GaN技(ji)(ji)術可以減(jian)少90%的(de)(de)驅動(dong)損(sun)耗(hao)。 此外(wai)，由(you)于(yu)沒(mei)有(you)(you)體二(er)極管， GaN器(qi)件沒(mei)有(you)(you)反向恢復損(sun)耗(hao)，可實(shi)現(xian)更好的(de)(de)EMI性能，這意味著GaN技(ji)(ji)術不需要太復雜的(de)(de)EMI電(dian)路，從而節省了(le)成本和額外(wai)的(de)(de)損(sun)耗(hao)。
作為大型“充電(dian)(dian)寶”，移動儲(chu)能(neng)(neng)產品(pin)(pin)非(fei)常流(liu)行，通常包含充電(dian)(dian)和(he)放(fang)電(dian)(dian)2個電(dian)(dian)路，充電(dian)(dian)方(fang)式有市電(dian)(dian)和(he)太陽(yang)(yang)能(neng)(neng)兩種(zhong)，市電(dian)(dian)充電(dian)(dian)由PFC和(he)隔離(li)(li)DC-DC組(zu)(zu)成；太陽(yang)(yang)能(neng)(neng)充電(dian)(dian)由光伏面板和(he)MPPT組(zu)(zu)成；可提供交流(liu)輸(shu)出(chu)和(he)直流(liu)輸(shu)出(chu)2種(zhong)放(fang)電(dian)(dian)功能(neng)(neng)，交流(liu)輸(shu)出(chu)由隔離(li)(li)DC-DC和(he)逆變(bian)組(zu)(zu)成；直流(liu)輸(shu)出(chu)通常由非(fei)隔離(li)(li)DC-DC組(zu)(zu)成。GaN器件其中多個環節都可以應用，可為移動儲(chu)能(neng)(neng)產品(pin)(pin)實現雙向逆變(bian)器功能(neng)(neng)，不僅可以提升(sheng)系統效(xiao)率，還能(neng)(neng)提供高能(neng)(neng)量(liang)轉化率，實現無風扇設計，此(ci)外可以縮(suo)小性(xing)器件尺寸和(he)重量(liang)，使(shi)得儲(chu)能(neng)(neng)產品(pin)(pin)更輕便。
以(yi)手(shou)(shou)機快充(chong)為(wei)例，今天的手(shou)(shou)機變得越來越強大(da)，這(zhe)要求給手(shou)(shou)機充(chong)電的適配器往(wang)更大(da)功率、更高功率密(mi)度方向發(fa)展(zhan)，GaN的高頻、高效特(te)性正(zheng)好滿(man)足此要求。與傳統Si MOSFET相(xiang)比(bi)，GaN具有(you)以(yi)下優點:
1、低Qg/Ciss，低Coss/ qss：開(kai)關速(su)度快(kuai)，減少開(kai)關損耗；
2 、Qrr=0：無(wu)反向恢復損失(無(wu)體(ti)二極(ji)管)，降低開(kai)關噪(zao)聲，更好(hao)的EMI性能；
3 、低 RDSON: 降低傳導損耗(hao)。
氮(dan)化(hua)鎵這種高效率、低(di)損耗與高頻率的特(te)性(xing)，令(ling)其在充電器行業大放異彩。相比于普通充電器，相同(tong)功率下，氮(dan)(dan)化鎵適(shi)配器(qi)的體積更(geng)小(xiao)，且一個氮(dan)(dan)化鎵充電器(qi)可滿(man)足多(duo)個電子產(chan)品充電，使(shi)用(yong)便捷度(du)大大提高。
